ARRAYS OF NONVOLATILE MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING ARRAYS OF NONVOLATILE MEMORY CELLS
摘要
<p>비휘발성 메모리 셀은 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함한다. 프로그래머블 물질 및 선택 소자는 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 직렬로 수용된다. 상기 프로그래머블 물질 및 선택 소자 사이에 전류 전도 물질이 위치한다. 이러한 비휘발성 메모리 셀의 수직 적층 티어의 어레이가 개시된다. 비휘발성 메모리 셀 어레이 형성 방법이 개시된다.</p>
