| 发明名称 | 3D封装件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面共面。该方法进一步包括对第一衬底实施锯切工艺，该锯切工艺锯切穿过支撑结构。本发明还公开了3D的封装件及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104217997A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201310710945.8 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林士庭;叶宫辰;卢思维;林俊成 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，所述管芯电连接至所述第一衬底；在所述第一衬底的顶面上形成支撑结构，所述支撑结构与所述管芯物理间隔开，所述支撑结构的顶面与所述管芯的顶面共面；以及对所述第一衬底实施锯切工艺，所述锯切工艺锯切穿过所述支撑结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||