| 发明名称 | 半导体器件、显示器及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其包括：栅电极层；栅极绝缘膜，其设置在所述栅电极层上；半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜上并与所述栅电极层相对；及源漏电极层，其设置在所述半导体层上和所述栅极绝缘膜上。所述半导体层的与所述栅极绝缘膜相对的表面位于所述源漏电极层的位于所述栅极绝缘膜上的部分的表面上方。 | ||
| 申请公布号 | CN104221155A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201380019375.6 | 申请日期 | 2013.04.15 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 菅野道博;河村隆宏;稻村宏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 曹正建;陈桂香 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：栅电极层；栅极绝缘膜，其设置在所述栅电极层上；半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜上并与所述栅电极层相对；和源漏电极层，其设置在所述半导体层上和所述栅极绝缘膜上，其中，所述半导体层的与所述栅极绝缘膜相对的表面位于所述源漏电极层的位于所述栅极绝缘膜上的部分的表面上方。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||