发明名称 磁控溅射设备及磁控溅射方法
摘要 本发明公开一种磁控溅射设备及磁控溅射方法,涉及磁控溅射技术领域,可检测到部分靶材是否被耗尽,从而能够根据实际情况对靶材进行更换,提高了靶材的实际利用率。该磁控溅射设备包括:一密封腔室以及设置于所述密封腔室中且相对设置的阳极和阴极,与所述阳极和阴极连接的电源。所述阴极包括与所述电源连接的导电背板;设置于所述导电背板靠近所述阳极一侧的靶材;设置于所述导电背板与所述靶材之间的绝缘层,所述靶材电连接于所述导电背板。
申请公布号 CN104213089A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201410418300.1 申请日期 2014.08.22
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 发明人 张峰;杜晓健;辛旭;李岩
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种磁控溅射设备,包括:一密封腔室以及设置于所述密封腔室中且相对设置的阳极和阴极,与所述阳极和阴极连接的电源,其特征在于,所述阴极包括:与所述电源连接的导电背板;设置于所述导电背板靠近所述阳极一侧的靶材;设置于所述导电背板与所述靶材之间的绝缘层,所述靶材电连接于所述导电背板。
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