发明名称 一种基于半桥电路的VSC基本功能单元的绝缘配合方法
摘要 本发明涉及一种基于半桥电路的VSC基本功能单元的绝缘配合方法,包括以下步骤:1)依据子模块各种运行工况下稳态、暂态和瞬时过电压水平,确定各元器件的绝缘强度和特性;2)依据子模块的电位分布特点,令一次主设备的金属外壳和二次控制保护板卡的地电位与子模块负极等电位,且二次控制保护板卡通过隔离变压器与一次电路连接,用以隔离一次电路高电压对二次电路的影响;3)根据子模块电磁场分布,使用金属屏蔽盒来屏蔽IGBT高速开关给二次控制保护板卡造成的电磁干扰;4)令旁路开关的操作机构与子模块负极等电位;5)跨越高低电位的导线选用高压导线,以降低子模块局部放电量。该绝缘配合方法使得不仅能够满足系统的绝缘要求,安全性和经济性俱佳。
申请公布号 CN102130609B 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201110057380.9 申请日期 2011.03.10
申请人 中国电力科学研究院;国家电网公司 发明人 张新刚;李强;栾洪洲;李云鹏;汤广福
分类号 H02M7/00(2006.01)I;H02M1/44(2007.01)I 主分类号 H02M7/00(2006.01)I
代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人 徐国文
主权项 一种基于半桥电路的VSC基本功能单元的绝缘配合方法,包括以下步骤:1)依据子模块各种运行工况下稳态、暂态和瞬时过电压水平,确定各元器件的绝缘强度和特性;2)依据子模块的电位分布特点,令一次主设备的金属外壳和二次控制保护板卡的地电位与子模块负极等电位,且二次控制保护板卡通过隔离变压器与一次电路连接,用以隔离一次电路高电压对二次电路的影响;3)根据子模块电磁场分布,使用金属屏蔽盒来屏蔽IGBT高速开关给二次控制保护板卡造成的电磁干扰;4)令旁路开关的操作机构与子模块负极等电位;5)跨越高低电位的导线选用高压导线,以降低子模块局部放电量;所述元器件包括第一IGBT模块(S1)、第二IGBT模块(S2)、储能电容(C)、电阻(R1、R2)、晶闸管(T)、旁路开关(K)和二次控制保护板卡(P&C);所述第一IGBT模块(S1)和第二IGBT模块(S2)串联连接后与电阻(R1、R2)并联连接;所述电阻(R1、R2)与储能电容(C)并联连接;所述晶闸管(T)、旁路开关(K)均与第二IGBT模块(S2)并联连接;所述二次控制保护板卡(P&C)通过光纤或电缆与第一IGBT模块(S1)、第二IGBT模块(S2)、晶闸管(T)和旁路开关(K)相连接;所述一次主设备为第一IGBT模块(S1)、第二IGBT模块(S2)、储能电容(C)、电阻(R1、R2)、晶闸管(T)和旁路开关(K),一次主设备形成的电路为一次电路;所述二次控制保护板卡(P&C)包含IGBT驱动与保护电路、晶闸管驱动电路、旁路开关驱动电路、子模块过电压保护电路、子模块过流保护电路和通讯电路。
地址 100192 北京市海淀区清河小营东路15号