制造第III族氮化物半导体的方法和第III族氮化物半导体

摘要

本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，包括：在衬底的主表面上形成包括柱和沟槽的凹凸结构，以及在所述柱的顶表面和所述沟槽的底表面上沿所述第III族氮化物半导体的c轴方向生长所述第III族氮化物半导体，其中形成所述凹凸结构包括在所述衬底的所述主表面上形成第一条纹结构和第二条纹结构，所述第一条纹结构包括布置成从上方观察时为条纹图案并且平行于第一方向排列的多个第一凹槽，所述第二条纹结构包括布置成从上方观察时为条纹图案并且平行于与所述第一方向相交的第二方向排列的多个第二凹槽，使得在所述第一凹槽中通过所述第二凹槽的深度提供了水平高度之差并且在所述第二凹槽中通过所述第一凹槽的深度提供了水平高度之差；作为所述第一条纹结构的所述柱或所述沟槽的侧表面的第一处理侧表面形成为满足以下条件：所生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于所述第一处理侧表面的面为m面(10‑10)；并且当将通过将所述第一处理侧表面的法向矢量正交投影到所述衬底的所述主表面而得到的投影矢量定义为第一横向矢量时，所述第一横向矢量与通过将所生长的第III族氮化物半导体的所述m面的法向矢量正交投影到所述主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°；以及作为所述第二条纹结构的所述柱或所述沟槽的侧表面的第二处理侧表面形成为满足以下条件：所生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于所述第二处理侧表面的面为a面(11‑20)；并且当将通过将所述第二处理侧表面的法向矢量正交投影到所述主表面而得到的投影矢量定义为第二横向矢量时，由所述第二横向矢量和通过将所生长的第III族氮化物半导体的所述a面的法向矢量正交投影到所述主表面而得到的a轴投影矢量所形成的第二角度为从0°至10°。