发明名称 |
窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体性富集、且特定手性占优单壁碳纳米管的可控制备领域,具体为一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法。以醇类液态有机物为碳源,氩气为载气和保护气,以高温下结构稳定的多孔介质为担载体,通过浸渍法及后续热处理制备高分散度的双金属催化剂,利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管。双金属催化剂中的一相为高温稳定相,另一相为催化活性相。利用这种催化剂的独特高温结构稳定性,适宜的碳源分解能力,在较宽温度范围内选择性合成了窄手性分布、高质量的半导体性单壁碳纳米管。本发明突破目前窄手性分布碳纳米管生长量少、缺陷多或生长窗口窄等难题,实现宏量、窄手性分布、半导体性单壁碳纳米管的富集生长。 |
申请公布号 |
CN104211044A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201410441540.3 |
申请日期 |
2014.09.01 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
刘畅;赵石永;侯鹏翔;成会明 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法,其特征在于,以醇类液态有机物为碳源及刻蚀剂,以氩气为载气,以二元合金纳米颗粒为双金属催化剂,通过气相沉积方法生长单壁碳纳米管,制备样品为半导体富集且在较宽温度范围内存在占优的手性。 |
地址 |
110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |