等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁

摘要

本发明涉及等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁。具体地，半导体等离子体处理装置包括在其中处理半导体衬底的真空室、与该真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中的工艺气体源、以及适于在真空室中将工艺气体激励成等离子体状态的RF能量源。该装置还可包括室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中等离子体兼容液体流经暴露于等离子体的表面从而在暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。液体供给器将等离子体兼容液体输送到室壁。

主权项

一种半导体等离子体处理装置，其包括：真空室，在其中处理半导体衬底；工艺气体源，其与所述真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中；RF能量源，其适于在所述真空室中将所述工艺气体激励成等离子体状态；室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中所述液体被供给到所述暴露于等离子体的表面的一部分并流经所述暴露于等离子体的表面，其中流动的所述等离子体兼容液体在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层；以及液体供给器，其将所述等离子体兼容液体输送到所述室壁。