发明名称 |
闪存芯片操作时间的测量方法 |
摘要 |
本发明提出了一种闪存芯片操作时间的测量方法,利用了同一测试单元内每颗被测试闪存芯片可以单独分配ECR地址区域的特点,将ECR作为每个待测试闪存芯片的计数器,从而能够精确、同时的测量多颗闪存芯片操作时间,提高测量的效率。 |
申请公布号 |
CN104217765A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201410455143.1 |
申请日期 |
2014.09.09 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
罗旭;张宇飞;李康;龚斌;李德勇 |
分类号 |
G11C29/12(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种闪存芯片操作时间的测量方法,其特征在于,包括步骤:将每颗待测闪存芯片均划分出一块ECR地址区域;设置所述闪存芯片的输出引脚期望值;发送操作开始指令,对每颗闪存芯片进行周期性采样,由每个ECR记录分别每颗闪存芯片的采样信号的个数,直至所述ECR采样到所述闪存芯片的输出引脚的期望值后停止采样;分别每个ECR记录的个数及采样周期得出每颗闪存芯片的操作时间。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |