发明名称 闪存芯片操作时间的测量方法
摘要 本发明提出了一种闪存芯片操作时间的测量方法,利用了同一测试单元内每颗被测试闪存芯片可以单独分配ECR地址区域的特点,将ECR作为每个待测试闪存芯片的计数器,从而能够精确、同时的测量多颗闪存芯片操作时间,提高测量的效率。
申请公布号 CN104217765A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201410455143.1 申请日期 2014.09.09
申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 罗旭;张宇飞;李康;龚斌;李德勇
分类号 G11C29/12(2006.01)I 主分类号 G11C29/12(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种闪存芯片操作时间的测量方法,其特征在于,包括步骤:将每颗待测闪存芯片均划分出一块ECR地址区域;设置所述闪存芯片的输出引脚期望值;发送操作开始指令,对每颗闪存芯片进行周期性采样,由每个ECR记录分别每颗闪存芯片的采样信号的个数,直至所述ECR采样到所述闪存芯片的输出引脚的期望值后停止采样;分别每个ECR记录的个数及采样周期得出每颗闪存芯片的操作时间。
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