堆叠式半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种堆叠式半导体封装结构及其制造方法。该结构包括第一封装体和第二封装体。第一封装体包括：第一载体；第一芯片，设置在第一载体上，电连接到第一载体，并包括面对第一载体的第一表面和相对的第二表面；第一导电构件，包括第一端和第二端，第一端设置在第一芯片的第二表面上并电连接到第一芯片的第二表面；第一塑封体，覆盖第一载体、第一芯片和第一导电构件的第一端，并暴露第一导电构件的第二端。第二封装体包括：第二载体；第二芯片，设置在第二载体上，电连接到第二载体；第二导电构件，从第二载体突出并电连接到第二芯片；第二塑封体，覆盖第二载体和第二芯片。第二导电构件插入第一导电构件的第二端中。

主权项

一种堆叠式半导体封装结构，所述堆叠式半导体封装结构包括第一封装体和第二封装体，第一封装体包括：第一载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；第一芯片，设置在第一载体的第一表面上，通过引线键合或倒装的方式电连接到第一载体的第一表面，并包括面对第一载体的第一表面和背对第一载体的第二表面；第一导电构件，包括第一端和第二端，第一端设置在第一芯片的第二表面上并电连接到第一芯片的第二表面，其中，第一导电构件是焊球；以及第一塑封体，覆盖第一载体的第一表面、第一芯片的第二表面和第一导电构件的第一端，并暴露第一导电构件的第二端，其中，第一导电构件的第二端的外表面与第一塑封体的外表面共面；第二封装体包括：第二载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；第二芯片，设置在第二载体的第一表面上并通过引线键合或倒装的方式电连接到第二载体的第一表面；第二导电构件，从第二载体的第二表面突出并通过第二载体电连接到第二芯片，其中，第二导电构件是铜柱；以及第二塑封体，覆盖第二载体的第一表面和第二芯片；其特征在于，第二导电构件插入第一导电构件的第二端中，并且第二载体的第二表面紧靠第一塑封体的外表面。