多层绝缘薄膜的图形化方法及芯片的多层绝缘薄膜

摘要

本发明提供一种多层绝缘薄膜的图形化方法及芯片的多层绝缘薄膜。本发明提供的方法，包括：在所制备的半导体晶片的衬底表面蒸镀掩膜层；去除部分所述掩膜层，形成掩膜层图形，露出部分所述衬底；在所述半导体晶片表面蒸镀多层绝缘薄膜，所述多层绝缘薄膜覆盖所述掩膜层图形和部分所述衬底；去除所述掩膜层图形和所述掩膜层图形上覆盖的多层绝缘薄膜，保留部分所述衬底上的多层绝缘薄膜，使得所述半导体晶片表面在所述掩膜层图形的位置形成凹坑。本发明提供的方法解决了现有技术对芯片表面的多层绝缘薄膜进行图形化的过程，由于多层绝缘薄膜片间刻蚀不均匀、难以满足对多种材料的刻蚀选择比的调制，而导致刻蚀均匀性差的问题。

主权项

一种多层绝缘薄膜的图形化方法，其特征在于，包括：在所制备的半导体晶片的衬底表面蒸镀掩膜层；去除部分所述掩膜层，形成掩膜层图形，露出部分所述衬底；在所述半导体晶片表面蒸镀多层绝缘薄膜，所述多层绝缘薄膜覆盖所述掩膜层图形和部分所述衬底；去除所述掩膜层图形和所述掩膜层图形上覆盖的多层绝缘薄膜，保留部分所述衬底上的多层绝缘薄膜，使得所述半导体晶片表面在所述掩膜层图形的位置形成凹坑。