| 发明名称 | 具有辐射屏蔽的半导体探测器 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式涉及具有辐射屏蔽的半导体探测器。一种半导体辐射探测器包括半导体材料的主体层。在所述主体层的第一侧上为场电极以及用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置。辐射屏蔽存在于所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上，该辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN104215996A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201410225306.7 | 申请日期 | 2014.05.26 |
| 申请人 | 牛津仪器分析公司 | 发明人 | H·安德森;P·科斯塔莫;V·卡玛莱南;S·南诺南 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张臻贤 |
| 主权项 | 一种半导体辐射探测器，包括：‑半导体材料的主体层；‑在所述主体层的第一侧上的场电极和用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置，和‑在所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上的辐射屏蔽，所述辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。 | ||
| 地址 | 芬兰埃斯波 | ||