发明名称 一种宽频梯度LED荧光粉及其制备方法
摘要 本发明提供了一种宽频梯度LED荧光粉及其制备方法,所述荧光粉的单个颗粒由内到外依次由晶体结构相同而化学组分不同的三层以上的荧光物质组成。该制备方法采用微波加热-均匀沉淀工艺制备具有相同晶体结构而不同组成的几种纯相微纳米级、纳米级荧光粉、进而采用微米级荧光粉晶粒作为晶种,并和上述制备的纯相微纳米级或纳米级荧光粉相混合,在高温下依次分步进行外延生长,或采用微米级荧光粉晶粒作为晶种,通过液相共沉淀方法形成具有相同晶体结构而不同组成的单核多层壳结构的前驱体,在高温下依次分步进行外延生长,然后研磨得到宽频梯度LED荧光粉,它具有特殊的结构和组成,分散性好,堆积密度高,散射强度大,发光效率高。
申请公布号 CN103254901B 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201310179866.9 申请日期 2013.05.15
申请人 湖南省科学技术研究开发院 发明人 李廷凯;钟真;张拥军;陈建国;唐冬汉;虞爱民;谭丽霞;李勇
分类号 C09K11/80(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I 主分类号 C09K11/80(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 马强
主权项 一种宽频梯度LED荧光粉,其特征是,所述荧光粉的单个单晶晶粒由内到外依次由晶体结构相同而化学组分不同的三层以上的荧光物质组成;所述三层以上的荧光物质中每一层荧光物质的化学式均选自化学式1,所述化学式1为:A<sub>2.94‑x</sub>B<sub>5‑y</sub>R<sub>y</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sub>0.06</sub>+Gd<sub>x</sub>,其0≤x≤0.2,0≤y≤4,A选自Y,La或Pr;B和R分别选自Al,Ga,In或Ti; 或者,所述三层以上的荧光物质中每一层荧光物质的化学式均选自化学式2,所述化学式2为:D<sub>p</sub>E<sub>2‑p</sub>FO<sub>4</sub>:Eu<sub>q</sub>,其0<p<2,0.05<q≤0.2,D和E选自Mg,Ca,Sr,或Ba;F选自C,Si,Ge,Sn或Pb。 
地址 410004 湖南省长沙市青园路506号