适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片

摘要

本发明公开了一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×1.0mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，适用4G通讯要求可达到目前的4G网络的应用要求。

主权项

一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其特征在于：包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×1.0mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度；厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网络的应用要求。