一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。

主权项

一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基片表面沉积金属层；(2)利用光刻显影和金属层腐蚀工艺，在基片表面形成多根纳米级金属细线；(3)在基片表面相邻金属细线之间旋涂光刻胶；(4)去除金属细线表面的氧化层；(5)将金属细线的两端接电极通电，促进金属细线表面生长金属晶须得到一维金属纳米线；所述步骤(2)具体为：首先在金属层表面旋涂光刻胶，然后采用纳米级条纹状图案的掩模板对其进行光刻，再显影得到多根纳米级光刻胶细线，最后腐蚀掉基片表面光刻胶细线以外的金属层，即得纳米级金属细线；所述步骤(3)具体为：在基片整个表面旋涂光刻胶，利用光刻显影工艺去除金属细线表面的光刻胶；所述金属层为Cd、Sn、Zn、Al或Ag中的任意一种。