发明名称 一种碳化硅纤维表面氧化物陶瓷涂层的制备方法
摘要 一种碳化硅纤维表面氧化物陶瓷涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)将碳化硅纤维去胶、清洗;(2)放入ALD反应室内,反复抽真空、置换氮气三次;(3)根据沉积氧化物涂层的种类,选择反应前驱体,设置沉积工艺参数;(4)在氮气或氩气携带下将前驱体蒸汽引入到ALD反应室中;(5)用氮气或氩气吹扫反应室;(6)在氮气或氩气携带下将氧源蒸汽引入到ALD反应室中;(7)用氮气或氩气吹扫反应室;(8)重复步骤(4)-步骤(7),直至沉积到所需涂层厚度;(9)放入高温管式炉中,在氮气保护下进行热处理即成。利用本发明,可在SiC纤维表面制备出均匀、致密、杂质少、厚度可精确控制的氧化物陶瓷涂层。
申请公布号 CN104213099A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201410492825.X 申请日期 2014.09.24
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 王军;曹适意;王浩;简科;王小宙
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 黄纯能;宁星耀
主权项 一种碳化硅纤维表面氧化物陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将碳化硅纤维去胶、清洗;将碳化硅纤维束或纤维编织体中于400℃‑700℃氮气气氛下保温10min‑60min以去胶,接着置于丙酮中超声清洗5min‑30min,以去除表面污物,随后室温干燥;(2)将经步骤(1)处理过的碳化硅纤维束或纤维编织体放入ALD反应室内,然后反复抽真空、置换氮气三次;(3)根据沉积氧化物涂层的种类,选择反应前驱体,设置沉积工艺参数:沉积温度25℃‑400℃,沉积压力0.01torr‑760 torr;(4)在氮气或氩气携带下将前驱体蒸汽引入到ALD反应室中;(5)用氮气或氩气吹扫反应室;(6)在氮气或氩气携带下将氧源蒸汽引入到ALD反应室中;(7)用氮气或氩气吹扫反应室;(8)重复步骤(4)‑步骤(7),直至沉积到所需涂层厚度;(9)将步骤(8)所得的碳化硅纤维束或纤维编织体放入高温管式炉中,在氮气保护下于400℃‑600℃热处理10min‑60min,即成。
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号