一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底；在所述侧壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中依次形成嵌入式锗硅层和硅帽层，其中，形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的∑状凹槽中的硅帽层的顶部的最低处高于所述半导体衬底的表面；回蚀刻所述硅帽层。根据本发明，在栅极结构和隔离结构之间的半导体衬底中形成自下而上层叠的嵌入式锗硅层和硅帽层时，可以获得顶部平整的硅帽层，有效避免导致PMOS性能下降的负载效应的发生。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底；在所述侧壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中依次形成嵌入式锗硅层和硅帽层，其中，形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的∑状凹槽中的硅帽层的顶部的最低处高于所述半导体衬底的表面；回蚀刻所述硅帽层。