一种低衰耗弯曲不敏感单模光纤

摘要

本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，包括有纤芯层、下陷内包层、内包层、下陷外包层和纯二氧化硅玻璃外包层，其特征在于纤芯层从内向外由折射率从高到低的第一芯层、第二芯层以及第三芯层所组成，所述的第一芯层半径R1为2.5μm~3.3μm，相对折射率差Δ1为0.25%~0.38%；所述的第二芯层半径R2为4μm~5μm，相对折射率差Δ2为0.15%~0.25%；所述的第三芯层半径R3为5.3μm~6.3μm，相对折射率差Δ3为-0.03%~0.15%。本发明芯包层涉及实现了低衰减、大有效面积、抗弯曲性能更好地结合和统一，光纤拥有远远优于常规G.652.D光纤的衰减性能，从而可以在干线传输中，减少建设相关基站及其他系统设备的成本，并相对常规的G.652.D光纤具有更优异的宏观弯曲性能，以满足更苛刻的布线环境或FTTx使用环境。

主权项

一种低衰耗弯曲不敏感单模光纤，包括有纤芯层、下陷内包层、内包层、下陷外包层和纯二氧化硅玻璃外包层，其特征在于纤芯层从内向外由折射率从高到低的第一芯层、第二芯层以及第三芯层所组成，所述的第一芯层半径 R1为2.5μm ~3.3μm，相对折射率差Δ1为0.25%~0.38%；所述的第二芯层半径 R2为4μm~5μm，相对折射率差Δ2为0.15%~0.25%；所述的第三芯层半径 R3为5.3μm~6.3μm，相对折射率差Δ3为‑0.03%~0.15%。