半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；栅极侧墙，位于鳍片上，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧，包括第一侧墙材料层构成的第一侧墙以及第二侧墙材料层构成的第二侧墙，其中第一侧墙具有L型形貌；源漏扩展区，位于鳍片中，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片侧壁形成了复合的多层栅极侧墙，提高了SDE横向宽度的控制精度并且同时能保护鳍片顶部以减小缺陷。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠；在整个器件上形成第一侧墙材料层；对鳍片进行轻掺杂，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成源漏扩展区；在整个器件上形成第二侧墙材料层；刻蚀第二侧墙材料层以及第一侧墙材料层，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙。