半导体存储器

摘要

本发明公开了半导体存储器。该半导体存储器包括：读出放大器，该读出放大器响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据位线的电压来确定非易失性存储元件中保持的逻辑，该电压随着流经真实元件晶体管的元件电流而变化；串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管；以及定时生成单元。定时生成单元在经由复制元件晶体管耦合到地线的第一节点从高电平变化到低电平时激活读出放大器使能信号。复制元件晶体管包括接收恒定电压的控制栅和耦合到控制栅的浮栅。从而，可以根据存储元件的电特性来最优地设定读出放大器的激活定时。

主权项

一种半导体存储器，包括：至少一个包括真实元件晶体管的非易失性存储元件，该真实元件晶体管包括第一控制栅和第一浮栅；耦合到所述第一控制栅的字线；耦合到所述真实元件晶体管并且在读取操作之前被预充电的位线；读出放大器，该读出放大器在所述读取操作中响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据所述位线的电压来确定每个所述非易失性存储元件中保持的逻辑，所述电压随着流经所述真实元件晶体管的元件电流而变化；以及定时生成单元，该定时生成单元包括串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管和开关晶体管，并且当在所述读取操作时经由所述复制元件晶体管和所述开关晶体管耦合到所述地线的所述第一节点从高电平变化到低电平时激活所述读出放大器使能信号，其中，所述复制元件晶体管包括接收恒定电压的第二控制栅和耦合到所述第二控制栅的第二浮栅，并且其中，当在所述开关晶体管的栅极处接收到操作使能信号时，所述开关晶体管被接通，所述操作使能信号在所述读取操作时被激活。