一种磁控溅射制备氧化钒膜的方法

摘要

本发明涉及一种磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于薄膜制备技术。1、硅基片表面清洗。2、先在硅片表面沉积一层氧化硅薄膜。3、采用了具有利用率高、溅射薄膜均匀的靶材进行磁控溅射沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：底部真空3×10^-4Pa，氩氧比例100∶1～140∶1，溅射功率150W～240W，衬底温度为25～200℃。本发明方法的优点在于不需要进行高温热处理，只需改变溅射工艺条件就可以制备出具有高电阻温度系数和低室温电阻的氧化钒薄膜，简化了镀膜工艺。

主权项

一种磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，其特征在于包括以下过程：1)对硅基片表面进行清洗：硅片采用标准半导体清洗方法清洗，然后烘干备用；玻璃基片清洗过程，用丙酮进行超声清洗，经去离子水冲洗，然后用乙醇超声清洗，再经去离子水冲洗，烘干备用；2)先在硅片表面采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积一层氧化硅薄膜；3)制备氧化钒薄膜：真空室内高纯金属钒靶材对向放置，将玻璃基片或硅基片置于基片架上，背底真空3×10^‑4Pa，氩气和氧氧气例100∶1‑140∶1，真空室工作气压1.5‑2Pa，溅射功率190W‑240W，衬底温度为25‑200℃，溅射时间为30‑75分钟溅射成膜。