半导体装置

摘要

提供一种即使在伴随MISFET的精细化而导入的新的布图规则的状况下，也能减小构成数字电路的标准单元的布图面积的技术。例如，在标准单元的CL的两端的角部，突出布线PL1A从电源布线L1A向标准单元CL的内部（Y方向）突出，并且形成从突出的PL1A向X方向弯曲了的弯曲部BD1A。而且，通过栓塞PLG将该弯曲部BD1A和p型半导体区域PDR连接起来。

主权项

一种半导体装置，具备沿半导体基板的第1方向邻接配置的多个标准单元，设为矩形形状的所述多个标准单元的每一个具有：(a)在沿着所述第1方向的第1边上延伸的第1布线层的第1电源布线；(b)在与所述第1边隔开规定间隔地平行的第2边上延伸、且被施加比所述第1电源布线低的电压的所述第1布线层的第2电源布线；(c)配置在所述第1电源布线侧的第1半导体区域以及配置在所述第2电源布线侧的第2半导体区域，所述第1半导体区域以及所述第2半导体区域在所述第1电源布线与所述第2电源布线之间的所述半导体基板内沿与所述第1方向交叉的第2方向排列配置；以及(d)在所述第2方向延伸并且在所述第1方向等间隔地形成在所述半导体基板上的多个栅电极，所述半导体装置的特征在于，所述多个标准单元的每一个还具有：(e)在所述第1边的两端部处，从所述第1电源布线分岐而向朝向所述标准单元的内部的所述第2方向突出的2条第1突出布线；以及(f)在所述第2边的两端部处，从所述第2电源布线分岐而向朝向所述标准单元的内部的所述第2方向突出的2条第2突出布线，其中，从所述第1突出布线和所述第2突出布线中抽出的至少1条突出布线包含端部向朝向所述标准单元的内部的所述第1方向弯曲了的第1弯曲部，在形成有所述第1弯曲部的所述突出布线是从所述第1电源布线分岐的突出布线的情况下，所述突出布线通过与所述第1弯曲部连接的第1栓塞与所述第1半导体区域电连接，在形成有所述第1弯曲部的所述突出布线是从所述第2电源布线分岐的突出布线的情况下，所述突出布线通过与所述第1弯曲部连接的第2栓塞与所述第2半导体区域电连接。