发明名称 |
防止固态硬盘数据丢失的方法及其固态硬盘 |
摘要 |
本发明适用于存储技术领域,提供了一种防止固态硬盘数据丢失的方法及其固态硬盘,所述方法包括如下步骤:将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入的方式分别写入对应的所述多个耦合物理页;所述多个耦合物理页分别属于多个不同的独立冗余磁盘阵列保护区域。借此,本发明防止了固态硬盘数据丢失,提高固态硬盘的性能。 |
申请公布号 |
CN102609370B |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201210025358.0 |
申请日期 |
2012.02.06 |
申请人 |
记忆科技(深圳)有限公司 |
发明人 |
刘伟 |
分类号 |
G06F12/16(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
黄韧敏 |
主权项 |
一种防止固态硬盘数据丢失的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入的方式分别写入对应的所述多个耦合物理页;所述多个耦合物理页分别属于多个不同的独立冗余磁盘阵列保护区域;所述将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入方式,分别写入对应的所述多个耦合物理页的步骤之前包括:根据写入所述固态硬盘数据的命令,判断需要写入所述数据的所述固态硬盘的耦合物理页的属性;所述将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入方式,分别写入对应的所述多个耦合物理页的步骤包括:根据所述耦合物理页的属性确定所述数据写入所述耦合物理页的路径;根据所述路径,将所述数据写入所述耦合物理页;所述耦合物理页的属性为耦合高页面或者耦合低页面;所述数据写入所述耦合高页面的路径与所述数据写入所述耦合低页面的路径呈矩阵交叉状;所述数据写入所述耦合高页面的路径为沿多个数据块组成的矩阵的水平方向写入所述耦合高页面;所述数据写入所述耦合低页面的路径为与所述数据写入所述耦合高页面的路径呈一定角度的路径方向写入所述耦合低页面,所述角度根据所述耦合高页面和所述耦合低页面的总量所设置的矩阵确定;并且在所述数据写入到多个所述耦合物理页所在的所述多个数据块组成的所述矩阵的右下角的耦合物理页时,返回所述矩阵的左上角的耦合物理页继续写入所述数据。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头东南工贸大厦5楼 |