发明名称 一种集成电路及其组合电容与实现方法
摘要 本发明提供了一种集成电路及其组合电容与实现方法,其中,所述组合电容,其包括设置在集成电路中的MOS器件;所述MOS器件上垒加电容材料,与所述MOS器件共同形成一组合电容。采用上述方案,在集成电路版图设计中,在同样的面积中可以得到更高的容值,以此来达到缩减面积,降低芯片成本,并且给集电电路版图电容改版提供便捷,便于改图,为集成电路原理图设计提供更多的选择与操作,具有很高的市场应用价值。
申请公布号 CN104218100A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201410532500.X 申请日期 2014.10.11
申请人 王金 发明人 王金
分类号 H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L29/92(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种集成电路中的组合电容,其特征在于,包括设置在集成电路中的MOS器件;所述MOS器件上垒加电容材料,与所述MOS器件共同形成一组合电容。
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