发明名称 |
高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法 |
摘要 |
本发明提供一种高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法,在采用电子束缺陷扫描仪对待检测片进行缺陷检测之前,先在待检测片表面加载负电荷,以在沟槽中的残留缺陷区域形成局部电场。进行缺陷检测时,由于所述局部电场的存在,在高深宽比沟槽中的残留缺陷处产生的二次电子能受所述局部电场的作用而溢出待检测片的表面,避免了法拉第杯效应的影响,使得缺陷检测的效率和准确度大大提高。 |
申请公布号 |
CN104217974A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201410443792.X |
申请日期 |
2014.09.02 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁;顾晓芳 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法,其特征在于,包括:提供一待检测片,所述待检测片经过了刻蚀工艺并形成了沟槽,在所述沟槽中存在残留缺陷;对所述待检测片表面加载负电荷,以在所述沟槽中的残留缺陷区域形成局部电场;采用电子束缺陷扫描仪对所述待检测基底进行缺陷检测。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |