发明名称 |
一种BiAgSeTe基热电材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明是一种BiAgSeTe基热电材料及其制备方法,该材料组分以纯度为99.99%的Bi、Ag、Se及Te单质粉体为原料,以低温固熔技术结合放电等离子烧结制备出BiAgSeTe基高性能热电块体材料。本发明方案能够简便、快捷的制备出BiAgSeTe基块体热电材料,通过优化本材料中元素的配比及工艺参数可以显著提高材料的热电功率因子,基本不增加材料的热导率的基础上,提高材料的热电性能等优点。BiAgSeTe基材料是一种非常有潜力的热电转换材料。 |
申请公布号 |
CN104218143A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201410411877.X |
申请日期 |
2014.08.20 |
申请人 |
中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
发明人 |
刘勇;田野;成波;刘大博 |
分类号 |
H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国航空专利中心 11008 |
代理人 |
陈宏林 |
主权项 |
一种BiAgSeTe基热电材料,其特征在:该材料的化学通式为:BiAgSe<sub>1‑x</sub>Te<sub>1+x</sub>,x的取值范围为‐0.05~0.05。 |
地址 |
100095 北京市海淀区北京81信箱 |