发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括:衬底基板及位于衬底基板上的包括源极和漏极的图形,还包括:位于衬底基板与包括源极和漏极的图形之间的隧道结结构,隧道结结构形成阵列基板的有源层。上述阵列基板及其制作方法、显示装置具有较高的载流子迁移率,TFT的开关速度更快;TFT的阈值电压不易发生漂移,具有较高的均匀性;每个像素能够使用更少的TFT,像素的开关速度更快;且制作工艺更简单易行。 |
申请公布号 |
CN104218043A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201410453736.4 |
申请日期 |
2014.09.05 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
张金中 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括:衬底基板及位于所述衬底基板上的包括源极和漏极的图形,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板与所述包括源极和漏极的图形之间的隧道结结构,所述隧道结结构形成所述阵列基板的有源层;所述隧道结结构包括:依次层叠的第一磁性层、绝缘层和第二磁性层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |