处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备

摘要

本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置。本发明可以减少基板应力、减少破片或平坦化基板，因此基板的所有区域均能合适地被聚焦。避免了晶片翘曲的非理想效应。

主权项

一种处理晶片的方法，包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据已测量的翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过一静电式晶片座将上述控制电压施加至晶片的相应位置，其中，根据已测量的翘曲量，决定至少两个不同的控制电压包括：根据所述晶片的至少两个区域的每一个的翘曲量从存储的测试数据中选择与所测量到的翘曲量相应的控制电压，其中，所述相应的控制电压是能够降低晶片破片和/或晶片翘曲的控制电压；以及当在晶片上执行工艺时，施加上述至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置，其中上述测量表示晶片翘曲的数据的步骤包括以激光测量晶片上表面多个位置的高度，并且在制造期间即时地被执行于半导体制造设备中。