| 发明名称 | 使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种制作半导体器件的方法，包括：在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一间隔物，以及与所述至少一个栅极相邻地形成用于源极和漏极区域中的每一个的相应第二间隔物。每个第二间隔物具有成对的相对的侧壁和与之耦合的端壁。该方法包括在第一间隔物和第二间隔物提供限域的同时，利用第二半导体材料填充源极和漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN104217960A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201410143386.1 | 申请日期 | 2014.04.08 |
| 申请人 | 意法半导体公司 | 发明人 | N·劳贝特;P·莫林 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一间隔物；在所述第一半导体层中并且与所述至少一个栅极相邻地形成用于源极区域和漏极区域中的每一个的相应第二间隔物，每个第二间隔物包括成对的相对侧壁和与之耦合的端壁；在所述第一间隔物和所述第二间隔物提供限域时，利用第二半导体材料填充所述源极区域和所述漏极区域。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||