通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法

摘要

一种通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法，包括：形成具有斜面的栅栏于该晶片的边缘部分中。该斜面指向该晶片的内侧。形成延伸以覆盖该栅栏的第一光致抗蚀剂层于该晶片上。通过对第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，来形成第一光致抗蚀剂图案。使用第一光致抗蚀剂图案及该栅栏作为蚀刻掩模，实施蚀刻工艺。通过使用光遮蔽片，选择性曝光负性抗蚀剂，来形成该栅栏，以及此时，该第一光致抗蚀剂层形成为包括正性抗蚀剂。

主权项

一种用于在晶片上形成图案的方法，包括：形成具有斜面的栅栏于所述晶片的边缘部分中，其中所述斜面指向所述晶片的内侧；形成延伸以覆盖所述栅栏的第一光致抗蚀剂层于所述晶片上；通过对第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，形成第一光致抗蚀剂图案；以及使用第一光致抗蚀剂图案及所述栅栏作为蚀刻掩模来实施蚀刻工艺，其中形成栅栏的步骤包括形成所述栅栏以包括第二光致抗蚀剂，第二光致抗蚀剂对抗第一光致抗蚀剂层的显影且在使第一光致抗蚀剂图案显影时不被显影。