多深度浅沟槽隔离工艺

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体裸片的方法，其可具有以下步骤：-提供半导体衬底；-将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离(STI)的点；-在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；-在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；-使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域；-施加光学光刻过程以暴露其中将形成沟槽的所有区域；及-蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。

主权项

一种用于制造半导体裸片的方法，其包括以下步骤：提供半导体衬底晶片；将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离的程度；在所述衬底上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；在所述底层的顶部上沉积具有第一厚度的掩蔽层；使所述掩蔽层成形为具有至少一个区域，所述区域具有大于零且小于所述第一厚度的第二厚度；施加光学光刻过程以在顶部抗蚀刻层上将形成沟槽的地方创建开口，其中至少一个开口在具有所述第一厚度的一区域内，并且至少一第二开口在具有所述第二厚度的所述至少一个区域内且小于所述至少一个区域；及蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。