用于降低功率电子系统中的干扰辐射的装置

摘要

用于降低功率电子系统中的干扰辐射的装置，具有功率半导体模块或具有至少一个功率半导体模块的布置，具有带有地电位的第一模制体、至少两个布置在装置内部的不同极性的直流负载连接元件，用于将功率半导体器件与配属的用于装置的外部连接的接头元件连接起来。在此，不同极性的两个直流负载连接元件具有至少各一个区段，在该区段中，这些直流负载连接元件扁平地构成，其中，这些区段相互平行且紧密相邻地分布并且相互电绝缘。此外，装置具有至少一个带有扁平地构成的第一子模制体的第二模制体，该第一子模制体布置在直流负载连接元件的两个平行的区段之间的区域中，与这些区段电绝缘。第二子模制体同样与第一模制体导电地连接。

主权项

用于降低功率电子系统中的干扰辐射的装置，具有功率半导体模块(10)或具有至少一个半导体模块(10)的布置(60)，具有至少一个功率半导体器件(20)，具有带有地电位(46)的由导电材料制成的第一模制体(50)、至少两个布置在所述装置内部的不同极性的第一或第二直流负载连接元件(22、24、72、74)，所述直流负载连接元件(22、24、72、74)用于将所述功率半导体器件(20)与配属的用于所述装置的外部连接的第一或第二接头元件(12、14、62、64)符合电路要求地连接起来，其中，不同极性的两个第一或第二直流负载连接元件(22、24、72、74)具有至少各一个区段(220、240)，在所述区段(220、240)中，所述直流负载连接元件(22、24、72、74)扁平地构成，所述区段(220、240)相互平行且紧密相邻地分布而且相互电绝缘，其中，所述装置具有至少一个由导电材料制成的第二模制体(80)，所述第二模制体(80)具有扁平地构成的第一子模制体(82)，所述第一子模制体(82)以与所述区段(220、240)电绝缘的方式布置在所述第一或第二直流负载连接元件(22、24、72、74)的两个平行的区段(220、240)之间的区域中，并且所述第二模制体(80)具有第二子模制体(84)，所述第二子模制体(84)与所述第一模制体(50)导电地连接，其中，所述第一模制体(50)和所述第二模制体(80)均是模制成型体，所述第一模制体(50)是功率半导体模块的散热装置或者是功率电子系统的壳体的一部分。