用于高温化学场效应晶体管(ChemFET)废气传感器的适用于废气的保护层

摘要

发明涉及用于制造传感器元件(1)的方法，这元件包括有至少一个敏感元器件(3)，在这方法中，将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在敏感元器件(3)上，其中敏感元器件(3)通过屏蔽层(31)基本上完全被遮盖住，在屏蔽层(31)上涂覆由一种热稳定材料制成的保护层(33)，并且通过热解作用或者一种低温传导的氧等离子体去除屏蔽层(31)发明此外还涉及一种传感器元件，它包括有至少一个敏感元器件(3)和由一种热稳定的材料制成的保护层(33)，其中敏感元器件(3)被由热稳定的材料制成的保护层(33)遮盖，其中敏感元器件(3)和保护层(33)相互有间距。

主权项

用于制造包括有至少一个带有气体敏感的层的元器件（3）的传感器元件（1）的方法，有以下步骤：(a)将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在所述带有气体敏感的层的元器件(3)上，其中所述带有气体敏感的层的元器件（3）通过屏蔽层（31）被遮盖住，(b)通过等离子体喷射法在屏蔽层（31）上涂覆由热稳定材料制成的保护层（33），该保护层是多孔的，(c) 通过热解作用或者低温导引的氧等离子体去除所述屏蔽层（31）。