| 发明名称 | 一种平面VDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平面VDMOS器件及其制造方法。该方法包括以下步骤：制造半导体衬底、外延层和栅氧化层；在栅氧化层上形成两个栅极区；在外延层内部形成掺杂区；在掺杂区内部形成源极区；在所述掺杂区内部形成位于源极区下方的深掺杂区；在两个栅极区和所述栅氧化层的上方形成介质层；从介质层的中部垂直向下刻蚀，依次刻蚀去除介质层、栅氧化层、源极区和深掺杂区，从而形成开口；在开口的左右两侧通过刻蚀去除部分介质层和部分栅氧化层；在开口的内部和介质层的上方形成源极金属层。本发明实施例在制造源极区时不需要进行光刻操作，降低了平面VDMOS器件的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104217950A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201310219105.1 | 申请日期 | 2013.06.04 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制造半导体衬底、外延层和栅氧化层；在栅氧化层上形成两个栅极区；在外延层内部形成掺杂区；在掺杂区内部形成源极区；在所述掺杂区内部形成位于源极区下方的深掺杂区；在两个栅极区和所述栅氧化层的上方形成介质层；从介质层的中部垂直向下刻蚀，依次刻蚀去除介质层、栅氧化层、源极区和深掺杂区，从而形成开口；在开口的左右两侧通过刻蚀去除部分介质层和部分栅氧化层；在开口的内部和介质层的上方形成源极金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||