| 摘要 |
실리콘 웨이퍼의 이면(裏面)에 산화막을 형성하는 이면 산화막 형성 공정(S6)과, 실리콘 웨이퍼의 외주부에 존재하는 산화막을 제거하는 이면 산화막 제거 공정(S7)과, 이면 산화막 제거 공정(S7) 후의 실리콘 웨이퍼에 대하여, 아르곤 가스 분위기하에 있어서 1200℃ 이상 1220℃ 이하의 온도에서 60분 이상 120분 이하의 열처리를 행하는 아르곤 어닐 공정(S8)과, 아르곤 어닐 공정(S8) 후의 실리콘 웨이퍼의 표면에 에피택셜막을 형성하는 에피택셜막 형성 공정(S9, S10)을 갖는다. |
