发明名称 |
侦测在晶圆上之缺陷;DETECTING DEFECTS ON A WAFER |
摘要 |
本发明提供用于侦测一晶圆上之缺陷之方法及系统。一种方法包含判定使用一检验系统之一第一光学模式所产生之用于一晶圆之第一输出中之像素的差异值及判定使用该检验系统之一第二光学模式所产生之用于该晶圆之第二输出中之像素的其他值。该第一光学模式及该第二光学模式彼此不同。该方法亦包含产生对应于该晶圆上之实质上相同定位之该第一输出及该第二输出中之该等像素的该等差异值,及该等其他值的一个二维散布图。该方法进一步包含基于该二维散布图来侦测该晶圆上之缺陷。 |
申请公布号 |
TW201448079 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103108797 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
克莱谭克公司 |
发明人 |
黄军秦;高理升 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);G06T7/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |