发明名称 |
半导体设备制造中低的热预算方案;LOW THERMAL BUDGET SCHEMES IN SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION |
摘要 |
本发明涉及半导体装置制造时的低热预算方案,在本发明的态样中,揭露的是形成半导体装置的方法,其中非晶区是形成于制造期间的早期阶段,并且非晶区是保存于后续处理过程顺序期间,以及具有非晶区的中间半导体装置结构是设于制造期间的早期阶段。本文中,闸极结构是设于半导体基底上方,并且非晶区是毗连闸极结构而成。源极/汲极扩展区或源极/汲极区是在非晶区中形成。在一些描述性具体实施例中,可将氟植入非晶区内。在形成源极/汲极扩展区及/或源极/汲极区后,进行快速热退火程序。 |
申请公布号 |
TW201448053 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103109390 |
申请日期 |
2014.03.14 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
沙拉特 尼可拉斯;候尼史奇尔 詹;帕瑟 特本;亚恩 拉恩;阿卡 阿尔班 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>洪武雄</name><name>陈昭诚</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |