发明名称 等离子体处理装置
摘要 本发明揭示一种等离子体处理装置,包括反应腔室及第一射频功率源和第二射频功率源,其中反应腔室包括相互平行设置的上电极和下电极,上电极设置在气体喷淋头内,下电极设于静电夹盘内;第一射频功率源用以在上下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体,第二射频功率源用以调整等离子体的能量;所述反应腔室还包括环形绝缘体,环绕静电夹盘和/或静电夹盘的上方区域;以及由导线卷绕而成的开口金属环电极,嵌设于环形绝缘体中,所述金属环通有射频电流以产生水平方向的感应电场。本发明能够有效改善反应腔室内等离子体密度分布的均匀性。
申请公布号 TW201448032 申请公布日期 2014.12.16
申请号 TW103113779 申请日期 2014.04.16
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 倪图强;梁洁;罗伟义
分类号 H01L21/3065(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志青</name>
主权项
地址 中国