| 发明名称 |
用于腔室清洁或预清洁制程之钴移除;COBALT REMOVAL FOR CHAMBER CLEAN OR PRE-CLEAN PROCESS |
| 摘要 |
本文所述实施例大体系关于自半导体基板处理腔室的一或更多内表面原位移除不当沉积积聚的方法和设备。在一实施例中，提供在处理置于基板处理腔室内的基板后，自基板处理腔室的一或更多内表面移除钴或含钴沉积物的方法。方法包含由含氟清洁气体混合物形成反应物种、使反应物种与钴及/或含钴沉积物反应而形成气态氟化钴，及将气态氟化钴清除出基板处理腔室。 |
| 申请公布号 |
TW201447011 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103113564 |
申请日期 |
2014.04.14 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
吴凯;郑波;柳尙澔;杰拉多斯艾夫杰尼诺斯Ｖ;罗佩布山Ｎ;安瑟斯杰佛瑞;史密格班哲明 |
| 分类号 |
C23C16/00(2006.01);B08B7/00(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/461(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
