| 摘要 |
一种ITO溅镀靶，其系由铟(In)、锡(Sn)、氧(O)、不可避免之杂质构成之烧结体，锡(Sn)含量(原子组成比：at.%)在0.3以上且14.5at.%以下，其特征在于：体电阻率为0.1mΩ．cm~1.4mΩ．cm，于将靶厚设为t之情形时，厚度t之体电阻率与板厚方向之任意地点的体电阻率其差异在20%以下。本发明系关于一种适于形成ITO膜的ITO溅镀靶，特别是可以提供一种自靶之溅镀初期直至结束时，膜特性之变化少的ITO溅镀靶及其制造方法。也就是说，藉由使ITO溅镀靶之厚度方向的氧缺损变动少，并使靶表面与内部之体电阻率的差异在20%以内，而使随着进行溅镀的膜特性变化少，从而可确保成膜品质的提高及可靠性。其结果，具有可提高ITO靶之生产性或可靠性之优异效果。本发明之ITO溅镀靶对于形成ITO膜特别有用。 |
