于一积体电路中形成栅栏导体;FORMING FENCE CONDUCTORS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

摘要

一间隔物蚀刻程序在复数个半导体晶粒中产生超窄导电线。该等导电线之次微影图案化与现有铝及铜后端处理相容。将一第一介电质沈积至该等半导体晶粒上且在其中形成沟槽。将一导电膜沈积至该第一介电质及沟槽表面上。自该等半导体晶粒之面及该等沟槽之底部移除所有平坦导电膜，从而仅留下在沟槽壁上之导电膜，藉此由其形成「栅栏导体」。此后用绝缘材料填充该等沟槽壁上之该等导电膜之间的间隙。此后移除经绝缘间隙填充物之一顶部部分以曝露该等栅栏导体之顶部。在适当位置处移除该等栅栏导体之部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离栅栏导体之所要导体图案。