电浆处理方法及电浆处理装置;PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE

摘要

本发明之课题在于使得因应于构件温度的膜厚控制性提高。为解决上述课题，本发明之电浆处理方法包含成膜步骤、电浆处理步骤及去除步骤。成膜步骤，系一面将配置于腔室之内部的构件调整到比其他构件为低的温度，一面利用不含氧之含矽气体的电浆，对构件之表面形成矽氧化物膜。电浆处理步骤，系已在构件表面形成矽氧化物膜后，利用处理气体的电浆，对于已送入腔室之内部的被处理体进行电浆处理。去除步骤，系在经过电浆处理之被处理体已送出至腔室的外部后，利用含氟气体的电浆，从构件表面去除矽氧化物膜。