| 摘要 |
本发明系关于一种可抑制锡须晶生长之非晶材料结构，其系为一金属玻璃薄膜，并形成于一金属基材与一锡层之间。特别地，本发明所提出的金属玻璃薄膜，其系为Zr46Ti26Ni28或Zr51.7Cu32.3Al9Ni之非晶质金属玻璃薄膜(Thin Film Metallic Glass,TFMG)，用以作为一中间层以阻挡金属基材与锡层介面之间的相互反应，进而成功且完全地阻止锡须晶之生成；并且，各种实验数据亦证明Zr46Ti26Ni28或Zr51.7Cu32.3Al9Ni之非晶质金属玻璃薄膜的确可用来取代用的抑制锡须晶生长的方法所采用的厚锡层(~20μm)，进而以低制程成本的方式有效地改善Cu/Sn介面之间的相互反应及锡须晶的生成。 |
