| 发明名称 |
功率覆盖结构及其制造方法;POWER OVERLAY STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME |
| 摘要 |
一种半导体装置模组包含：一介电层；一半导体装置，其具有耦合至该介电层之一第一表面；及一导电垫片，其具有耦合至该介电层之一第一表面。该半导体装置亦包含一导电散热片，该导电散热片具有耦合至该半导体装置之一第二表面及该导电垫片之一第二表面之一第一表面。一金属化层耦合至该半导体装置之该第一表面及该导电垫片之该第一表面。该金属化层延伸穿过该介电层且藉由该导电垫片及该散热片电连接至该半导体装置之该第二表面。 |
| 申请公布号 |
TW201448137 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103107093 |
申请日期 |
2014.03.03 |
| 申请人 |
奇异电器公司 |
发明人 |
格达 艾朗 维卢派克夏;乔罕 夏卡堤 辛夫;麦克考奈利 保罗 艾伦 |
| 分类号 |
H01L23/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/34(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
