发明名称 |
SOI(矽在绝缘体上)基板,彼之制法,以及半导体装置;SOI SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
本发明提供一种SOI基板,该SOI基板具有的SOI层于使用如玻璃基板等温度上限低的基板的时候也可以实用。另外,本发明还提供使用这种SOI基板的半导体装置。当对具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合单晶半导体层时,于形成接合的一面或双面使用以有机矽烷为原材料所成氧化矽膜。根据本发明,可以使用温度上限为700℃以下的基板,例如,玻璃基板,来获得坚固地接合的SOI层。亦即,可以在各边超过一米的大面积基板上形成单晶半导体层。 |
申请公布号 |
TW201448114 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103120696 |
申请日期 |
2008.03.20 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
大沼英人;挂端哲弥;饭洼阳一 |
分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
<name>林志刚</name> |
主权项 |
|
地址 |
日本 |