半导体装置的制造方法;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

半导体装置的制造方法包括：将第一沟渠形成在漂移层的第一区中，该漂移层具有包括第一区和第二区之表面；在形成该第一沟渠之后，将p型基极层的晶体生长在该漂移层之表面上；以及将n型源极层的晶体生长在该基极层之表面上。该漂移层、该基极层、及该源极层的材料为宽能隙半导体。