| 发明名称 |
用于电浆切割半导体晶圆的方法及装置;METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA DICING A SEMI-CONDUCTOR WAFER |
| 摘要 |
本发明提供一种用于电浆处理一基板之方法。该方法包含：提供具有一壁之一处理腔室；邻近于该处理腔室之该壁提供一电浆源；在该处理腔室内提供一工件支撑件；将一工件装载至该工件支撑件上，该工件具有一支撑薄膜、一框架及该基板；在该工件上方提供一盖环，该盖环具有至少一个穿孔区及至少一个非穿孔区；使用该电浆源产生一电浆；及使用该所产生的电浆处理该工件。 |
| 申请公布号 |
TW201448027 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103107619 |
申请日期 |
2014.03.06 |
| 申请人 |
帕斯马舍门有限责任公司 |
发明人 |
基普拉 瓦拉卡内特;培 伏乐得 大卫;马丁内斯 林内尔;强生 克里斯;强生 大卫;威斯特曼 罗素 |
| 分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/683(2006.01);H01L21/687(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01J37/32(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>阎启泰</name><name>林景郁</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
