发明名称 |
多阶遮罩电路制造技术及多层电路;MULTILEVEL MASK CIRCUIT FABRICATION AND MULTILAYER CIRCUIT |
摘要 |
电路制造技术使用一多阶遮罩以图案化一多层电路的一第一导体层。第一导体图案化系将提供第一导体层与身为铺设于多阶遮罩上抑或埋设于多阶遮罩下之一第二导体层之间的电性隔离。若第二导体层铺设于多阶遮罩上,藉由底切多阶遮罩以提供电性隔离。替代性地,若第二导体埋设于多阶遮罩下,第一导体系包括一桥接间隙式导体,且可藉由桥接间隙式导体及第二导体层与第一导体层之间的一绝缘层提供电性隔离。 |
申请公布号 |
TW201447993 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103109958 |
申请日期 |
2014.03.17 |
申请人 |
惠普发展公司有限责任合夥企业 |
发明人 |
梅平;陶斯格 卡尔P;阿曼查沃克曼 马瑞卡 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |