发明名称 | 半导体结构及其制程;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS THEREOF | ||
摘要 | 一种半导体结构,包含有一鳍状结构以及一闸极。鳍状结构位于一基底中,其中鳍状结构具有一穿孔位于一悬空部的正下方。闸极围绕悬空部。此外,本发明提供一种半导体制程,包含有下述步骤。首先,提供一基底上。接着,形成一鳍状结构于基底中,其中鳍状结构具有一底部以及一顶部。之后,移除底部的一部份,以使对应上方的顶部形成一悬空部,位于一穿孔上。然后,形成一闸极围绕悬空部。 | ||
申请公布号 | TW201447989 | 申请公布日期 | 2014.12.16 |
申请号 | TW102120789 | 申请日期 | 2013.06.11 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简金城;吴俊元;林进富;刘志建;许嘉麟 |
分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |