发明名称 |
处理基板的方法与图案化基板的方法;METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF PATTERNING SUBSTRATE |
摘要 |
一种处理基板的方法,包括在基板上提供一组由第一间隙所分隔的经图案化结构,且以第一离子能量将第一植入离子导向基板,其中第一植入离子有效地冲击由第一间隙所定义的区域中的基板。上述方法亦包括将沈积离子导向基板,其中第二离子有效地在至少部分的所述一组经图案化结构上沈积材料,以形成扩大的经图案化结构,此扩大的经图案化结构的特征在于第二间隙小于第一间隙。上述方法更包括以第二离子能量将第二植入离子导向基板,其中第二植入离子有效地冲击由第二间隙所定义的区域中的基板,第二离子能量包括比第一离子能量更高的离子能量。 |
申请公布号 |
TW201447980 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103108676 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
汉特曼 克里斯多夫R;雷诺 安东尼;哈塔拉 约翰J;葛特 卢多维克 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);H01L21/265(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>叶璟宗</name><name>郑婷文</name><name>詹富闵</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |